10 µm prosess - 10 µm process

Halvlederanordning fabrikasjon
MOSFET-skalering ( prosessnoder )
0 10 µm  - 1971 00 6 µm  - 1974 00 3 um  - 1977   1,5 um  - 1981 00 1 um  - 1984 800 nm  - 1987 600 nm  - 1990 350 nm  - 1993 250 nm  - 1996 180 nm  - 1999 130 nm  - 2001 0 90 nm  - 2003 0 65 nm  - 2005 0 45 nm  - 2007 0 32 nm  - 2009 0 22 nm  - 2012 0 14 nm  - 2014 0 10 nm  - 2016 00 7 nm  - 2018 00 5 nm  - 2020
Framtid 00 3 nm  - ~ 2022 00 2 nm  - > 2023
Halvknuter Tetthet CMOS Enhet ( flerport ) Moores lov Halvleder Industri Nanoelektronikk
v t e

Den 10  um prosess er nivået av MOSFET- halvlederprosess teknologi som ble kommersielt oppnådd omkring 1971, av ledende halvleder selskaper som RCA og Intel .

I 1960 demonstrerte den egyptiske ingeniøren Mohamed M. Atalla og den koreanske ingeniøren Dawon Kahng , mens de jobbet i Bell Labs , de første MOSFET-transistorer med 20   μm og deretter 10   μm portlengder. I 1969 introduserte Intel 1101 MOS SRAM- brikken med en 12   μm prosess.

Produkter med 10 μm produksjonsprosess

• RCA 's CD4000 serie av integrerte kretser begynte med en 20   nm prosess i 1968, før den gradvis nedskalering og til slutt nådde 10   mikrometer i de neste årene.
• Intel 1103 , en tidlig dynamisk random-access memory (DRAM) -brikke lansert i 1970, brukte en 8   μm prosess.
• Intel 4004 CPU lansert i 1971 ble produsert ved hjelp av en 10   μm prosess.
• Intel 8008 CPU lansert i 1972 ble produsert ved hjelp av denne prosessen.

Referanser

Eksterne linker

• Kort tidslinje for utvikling av mikroprosessor

Denne nanoteknologirelaterte artikkelen er en stubbe . Du kan hjelpe Wikipedia ved å utvide den . v t e