Vanlig avløp - Common drain

I elektronikk , en felles avløp forsterker , også kjent som en kildefølger , er ett av tre grunnleggende ett-trinns felteffekttransistor (FET) forsterkertopologier, vanligvis brukt som en spennings buffer . I denne kretsen (NMOS) fungerer portterminalen til transistoren som inngang, kilden er utgangen, og avløpet er vanlig for begge (inngang og utgang), derav navnet. Den analoge bipolare kryss-transistorkretsen er vanlig kollektorforsterker . Denne kretsen kalles også ofte en "stabilisator".

I tillegg brukes denne kretsen til å transformere impedanser . For eksempel er Thévenin-motstanden til en kombinasjon av en spenningsfølger drevet av en spenningskilde med høy Thévenin-motstand redusert til bare utgangsmotstanden til spenningsfølgeren (en liten motstand). Den motstandsreduksjonen gjør kombinasjonen til en mer ideell spenningskilde. Motsatt presenterer en spenningsfølger som er satt inn mellom et kjøretrinn og en høy belastning (dvs. en lav motstand) en uendelig motstand (lav belastning) til kjøretrinnet - en fordel ved å koble et spenningssignal til en stor belastning.

Kjennetegn

Grunnleggende N-kanal JFET-kildefølgerkrets (forsømmelse av forspenningsdetaljer )

Ved lave frekvenser har kildefølgeren som er avbildet til høyre følgende små-signalegenskaper .

	Definisjon	Uttrykk	Omtrentlig uttrykk	Forhold
Nåværende gevinst	${\ displaystyle A _ {\ text {i}} = {\ frac {i _ {\ text {out}}} {i _ {\ text {in}}}}}$	${\ displaystyle \ infty}$	${\ displaystyle \ infty}$
Spenningsforsterkning	${\ displaystyle A _ {\ text {v}} = {\ frac {v _ {\ text {out}}} {v _ {\ text {in}}}}}$	${\ displaystyle {\ frac {g_ {m} R _ {\ text {S}}} {g_ {m} R _ {\ text {S}} + 1}}}$	${\ displaystyle \ ca 1}$	${\ displaystyle g_ {m} R _ {\ text {S}} \ gg 1}$
Inngangsimpedans	${\ displaystyle r _ {\ text {in}} = {\ frac {v _ {\ text {in}}} {i _ {\ text {in}}}}}$	${\ displaystyle \ infty}$	${\ displaystyle \ infty}$
Utgangsimpedans	${\ displaystyle r _ {\ text {out}} = {\ frac {v _ {\ text {out}}} {i _ {\ text {out}}}}}$	${\ displaystyle R _ {\ text {S}} \ parallell {\ frac {1} {g_ {m}}} = {\ frac {R _ {\ text {S}}} {g_ {m} R _ {\ text { S}} + 1}}}$	${\ displaystyle \ approx {\ frac {1} {g_ {m}}}}$	${\ displaystyle g_ {m} R_ {S} \ gg 1}$

Variabelen g _m som ikke er oppført i skjematisk er transkonduktansen til enheten (vanligvis gitt i enheter på siemen ).

Se også

Referanser

Denne elektronikkrelaterte artikkelen er en stubbe . Du kan hjelpe Wikipedia ved å utvide den .

• v
• t
• e