Hurtiglading - Quick Charge
Hurtiglading (QC) er en proprietær batteriladings protokoll som er utviklet av Qualcomm , som brukes for å styre strøm levert over USB , hovedsakelig ved å kommunisere til strømforsyningen og forhandle en spenning.
Quick Charge støttes av enheter som mobiltelefoner som kjører på Qualcomm SoCs , og av noen ladere; både enhet og lader må støtte QC, ellers oppnås ikke QC -lading. Den lader batterier i enheter raskere enn standard USB tillater ved å øke utgangsspenningen som leveres av USB -laderen, mens den bruker teknikker for å forhindre batteriskade forårsaket av ukontrollert hurtiglading og regulering av innkommende spenning internt.
De fleste ladere som støtter Quick Charge 2.0 og senere er veggadaptere, men den er implementert på noen ladere i bilen , og noen kraftbanker bruker den til både å motta og levere ladning.
Quick Charge brukes også av andre produsenters proprietære hurtigladningssystemer.
Detaljer
Quick Charge er en proprietær teknologi som tillater lading av batteridrevne enheter, først og fremst mobiltelefoner, ved effektnivåer som overstiger 5 volt ved 2 ampere , og dermed 10 watt tillatt av grunnleggende USB-standarder-ikke tatt i betraktning USB Power Delivery (USB PD ) standard - samtidig som den opprettholder kompatibilitet med eksisterende USB -ledninger .
De forhøyede spenningene gir mulighet for å skyve større mengder kraft (watt) gjennom kabelens kobbertråder uten å varme dem opp ytterligere og risikere varmeskader , siden varme i ledningen utelukkende skyldes elektrisk strøm .
En annen fordel med den forhøyede spenningen, som beskrevet i Ohms lov § Andre versjoner , er dens forbedrede evne til å passere gjennom lengre USB -kabler på grunn av kompensasjon for spenningsfall fra ledninger med høyere motstand .
Mange andre selskaper har sine egne konkurrerende teknologier, inkludert MediaTek Pump Express og OPPO VOOC (lisensiert til OnePlus som Dash Charge ), sistnevnte som hever strømmen i stedet for strømforsyningsspenningen for å redusere varmen fra intern spenningsregulering, men stole på tykkere USB -ledninger for å håndtere strømmen uten overoppheting , som beskrevet i VOOC § Teknologi .
Selv om den ikke er offentlig dokumentert, har protokollen (f.eks. Spenningsforhandlinger mellom enhet og lader) blitt ombygd , og en egendefinert spenning kan forespørres manuelt fra laderen ved hjelp av en utløserkrets som simulerer forhandlingen til en endeenhet.
For å bruke Quick Charge må både verten som gir strøm og enheten støtte den.
Quick Charge 2.0 introduserte en valgfri funksjon som heter Dual Charge (opprinnelig kalt Parallel Charging), og brukte to PMIC -er for å dele strømmen i 2 strømmer for å redusere telefontemperaturen.
Quick Charge 3.0 introduserte INOV ( Intelligent Negotiation for Optimal Voltage ), Battery Saver Technologies, HVDCP+og valgfri Dual Charge+. INOV er en algoritme som bestemmer den optimale kraftoverføringen mens du maksimerer effektiviteten. Battery Saver Technologies har som mål å opprettholde minst 80% av batteriets opprinnelige ladekapasitet etter 500 ladesykluser. Qualcomm hevder Quick Charge 3.0 er opptil 4–6 ° C kjøligere, 16% raskere og 38% mer effektiv enn Quick Charge 2.0, og at Quick Charge 3.0 med Dual Charge+ er opptil 7–8 ° C kjøligere, 27% raskere og 45% mer effektiv enn Quick Charge 2.0 med Dual Charge.
Quick Charge 4 ble kunngjort i desember 2016 sammen med Snapdragon 835 . Quick Charge 4 inkluderer HVDCP ++, valgfri Dual Charge ++, INOV 3.0 og Battery Saver Technologies 2. Den er krysskompatibel med både USB-C og USB PD-spesifikasjoner, og støtter tilbakefall til USB PD hvis enten laderen eller enheten ikke er kompatibel. Quick Charge 4 -ladere er imidlertid ikke bakoverkompatible med Quick Charge. Den har også ytterligere sikkerhetstiltak for å beskytte mot overspenning, overstrøm og overoppheting, samt deteksjon av kabelkvalitet. Qualcomm hevder Quick Charge 4 med Dual Charge ++ er opptil 5 ° C kjøligere, 20% raskere og 30% mer effektiv enn Quick Charge 3.0 med Dual Charge+.
Quick Charge 4+ ble kunngjort 1. juni 2017. Den introduserer Intelligent Thermal Balancing og Advanced Safety Features for å eliminere hot spots og beskytte mot overoppheting og kortslutning eller skade på USB-C-kontakten. Dual Charge ++ er obligatorisk, mens i tidligere versjoner var Dual Charge valgfritt. I motsetning til Quick Charge 4, er Quick Charge 4+ fullt bakoverkompatibel med Quick Charge C 2.0 og 3.0 -enheter.
Quick Charge 5 ble kunngjort 27. juli 2020. Med opptil 100 W strøm, på en mobiltelefon med et batteri på 4500 mAh, hevder Qualcomm 50% lading på bare 5 minutter. Qualcomm kunngjorde at denne standarden er krysskompatibel med USB PD PPS programmerbar strømforsyning, og at teknologien kan kommunisere med laderen når du lader doble celler og doble spenningen og strømstyrken ut. For eksempel krever et enkelt batteri 8,8 V strøm. Den doble cellen kan deretter be PPS -laderen om å levere 17,6 volt og dele den i to til det to separate batteriet, og trekke 5,6 ampere totalt for å oppnå 100 watt. Den første telefonen med denne teknologien var Xiaomi Mi 10 Ultra .
Hurtiglading for trådløs strøm
25. februar 2019 kunngjorde Qualcomm Quick Charge for Wireless Power. Quick Charge for Wireless Power faller tilbake på Qi -standarden fra Wireless Power Consortium hvis enten laderen eller enheten ikke er kompatibel.
Versjoner
| Teknologi | Spenning | Maksimum | Nye funksjoner | Utgivelsesdato | Merknader | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| Strøm | Makt | |||||
| Hurtigladning 1.0 | Opptil 6,3 V | 2 A. | 10 W. | 2013 | Snapdragon 215, 600 | |
| Hurtigladning 2.0 | 1,67 A, 2 A eller 3 A | 18 W (9 V × 2 A) | 2014 | Snapdragon 200, 208, 210, 212, 400, 410, 412, 415, 425, 610, 615, 616, 653, 800, 801, 805, 808, 810 | ||
| Quick Charge 3.0 | 3,6–22 V i trinn på 0,2 V. | 2,6 A eller 4,6 A | 36 W (12 V × 3 A) | 2016 | Snapdragon 427, 429, 430, 435, 439, 450, 460, 617, 620, 625, 626, 632, 650, 652, 653, 662, 665, 820, 821 | |
| Hurtiglading 4 | 2017 | Snapdragon 630, 636, 660, 710, 720G, 835, 845 | ||||
| Quick Charge 4+ | Snapdragon 670, 675, 690, 712, 730, 730G, 732G, 750G, 765, 765G, 768G, 778G, 780G, 845, 855, 855+/860, 865, 865+, 870 | |||||
| Hurtiglading 5 | > 100 W. | 2020 | Snapdragon 888, 888+ | |||
Andre ladeprotokoller
Hurtigladningsbaserte protokoller
Merk: Disse er kompatible med Quick Charge-aktiverte ladere
- TurboPower ( Motorola )
- Mi Fast Charge ( Xiaomi )
- Adaptiv hurtiglading ( Samsung )
- BoostMaster ( Asus )
- Dobbelmotor hurtiglading (kun Vivo , modeller før 2020)
Andre proprietære protokoller
- VOOC ( OPPO og Realme- modeller før 2020 )
- SuperCharge ( Huawei )
- Warp (tidligere Dash) Charge ( OnePlus )
- Pump Express ( MediaTek )
- Super Flash Charge (Vivo, 2020 og fremover)
- DART (Realme, 2020 og fremover)
- XCharge ( Infinix )
Sammenligning med Pump Express
MediaTek Pump Express er ladeteknologien til Qualcomms viktigste brikkesettleverandørkonkurrent MediaTek .
2014 og 2015 versjoner av Pump Express, Pump Express Plus og Pump Express Plus 2.0 , som konkurrerer med Qualcomm Quick Charge 2.0 og 3.0 henholdsvis variere ved å kommunisere spennings forespørsler til laderen med dagens moduleringssignaler gjennom de viktigste USB strøm baner ( VBUS ) heller enn å forhandle gjennom USB 2.0 -datafeltene.
MediaTek Pump Express Plus (motstykke til Quick Charge 2.0) støtter forhøyede spenningsnivåer på 7, 9 og 12 volt, hvorav det første ikke støttes av Quick Charge 2.0.
I likhet med motparten Quick Charge 3.0, støtter Pump Express Plus 2.0 finere spenningsnivåer. Pump Express Plus 2.0 er mellom 5 volt og 20 volt, med en halv volt mellom hvert trinn (5,0 V, 5,5 V, 6,0 V,…, 19,5 V, 20,0 V). Imidlertid starter det større spenningsområdet for Quick Charge 3.0 med 3,6 volt med 0,2 volt mellom hvert trinn og går opp til 22 volt (3,6 V, 3,8 V, 4,0 V,…, 21,8 V, 22 V).